机译:远端Ar-NH_3-SiH_4等离子体中的N,NH和NH_2自由基密度及其在氮化硅沉积中的作用
机译:氮化硅原子层沉积工艺与Trisilylamine和NH_3等离子体的自由基分析及停留时间效应
机译:N-2-H-2混合等离子体在高密度自由基源偏远地区N,H和NH-3的绝对密度行为
机译:用于薄膜太阳能电池沉积的氮化硅SiH_4 / NH_3 / H_2等离子体放电的数值特性
机译:等离子体-表面相互作用在过程化学中的作用:α-碳氮化物沉积和硅的氟化硫/氧蚀刻的机理研究。
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:远程Ar-H2-N2-SiH4等离子体中氮化硅膜生长的等离子体诊断研究:N和SiHn自由基的作用